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分類:導(dǎo)師信息 來源:太原理工大學(xué) 2019-12-30 相關(guān)院校:太原理工大學(xué)
太原理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院研究生導(dǎo)師李天保介紹如下:
基本信息 | 李天保,男,1974年9月11月生于山西臨縣,教授,博士,碩導(dǎo),材料學(xué)系無機(jī)非金屬專業(yè)。 | |
研究方向 | 光電半導(dǎo)體器件及制備工藝研究 | |
個人簡歷 | 1993.09-1997.06 太原科技大學(xué),工程機(jī)械專業(yè),獲學(xué)士學(xué)位;
1997.07-2000.12 太原理工大學(xué)校辦工廠工作,負(fù)責(zé)本科生金工實(shí)習(xí);
2002.09-2008.06 太原理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院碩博連讀,取得工學(xué)博士學(xué)位;
2001.01-2008.09 山西省新材料研究中心工作,實(shí)驗(yàn)工程師;
2008.10-2010.07 太原理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院材料學(xué)系,講師;
2010.07-2018.12 太原理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院材料學(xué)系,副教授;
2016.03-2017.03 美國密歇根大學(xué)安娜堡校區(qū), 訪問學(xué)者
2018.12-至今 太原理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院材料學(xué)系,教授 |
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學(xué)術(shù)兼職 | 中國材料研究學(xué)會會員,中國物理學(xué)會會員,美國物理學(xué)會會員 | |
教學(xué)及指導(dǎo)研究生 | 主講材料科學(xué)概論、無機(jī)材料測試分析方法、半導(dǎo)體物理學(xué)等課程。指導(dǎo)六名碩士研究生畢業(yè)。 | |
科研成果 |
總體概述:
主持國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目1項(xiàng)、省自然科學(xué)基金項(xiàng)目1項(xiàng),參與多項(xiàng)國家及省自然科學(xué)基金項(xiàng)目。在國際與國內(nèi)刊物發(fā)表研究論文10余篇(其中SCI、Ei收錄6篇),并獲得授權(quán)專利二項(xiàng)。
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承擔(dān)項(xiàng)目:
1、石墨烯/氮化鎵基異質(zhì)外延的界面特性及其光電性能研究,國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目,2017/01-2020/12,在研、主持
2、界面原子行為對三維GaN基結(jié)構(gòu)生長和光電性能的影響,國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目,2015/01-2018/1,在研、參加。 3、合金結(jié)構(gòu)的表面等離子體增強(qiáng)發(fā)光二極管效能研究,山西省自然科學(xué)基金項(xiàng)目, 2011/01-2013/12,已結(jié)題、主持。 |
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代表性論文(專著、教材):
1、 Pei Sun, Suihu Dang, Tianbao Li *, Chunxia Li, Hua Zhang, Bingshe Xu. Carrier transport improvement in blue InGaN light-emitting diodes via reduced polarization using a band-engineered electron blocking layer. Journal of Display Technology, 2014,10(12),1101-1105
2、Tianbao Li*, Chenyang Liu, Zhe Zhang, Bin Yu, Hailiang Dong, Bingshe Xu. GaN epitaxial layers grown on multilayer graphene by MOCVD. AIP Advances, 2018,8(4),045105-04111. 3、 Tianbao Li*, Chenyang Liu, Zhe Zhang, Bin Yu, Hailiang Dong, Haiwei Jiang. Understanding the Growth Mechanism of GaN Epitaxial Layers on Mechanically Exfoliated Graphite. Nanoscale Research Letters, 2018, 13,130-136.
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授權(quán)專利:
1、 發(fā)明名稱:一種垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管的制備方法;專利號:ZL 201510022433.1
2、 發(fā)明名稱:一種低成本氮化鎵基發(fā)光二極管制備方法;專利號:ZL 201410750310.5
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科研獲獎:
2014年參與項(xiàng)目 “界面性質(zhì)與光電器件特性關(guān)系調(diào)控技術(shù)及應(yīng)用” 獲國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎一項(xiàng)。
2016年主持項(xiàng)目“高光效發(fā)光二極管的關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用”獲山西省科技進(jìn)步二等獎一項(xiàng)。 |
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聯(lián)系方式 | Email: litianbao@tyut.edu.cn |
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